切割(Dicing) | 分割(Singulation)後矽晶片崩邊與裂紋之紅外線檢測
在半導體製造中,切割(Dicing)或單顆分割(Singulation)是將已完成製程的晶圓分離為單顆晶粒(Die)的關鍵步驟。無論採用機械式或雷射切割,此製程皆會對晶圓施加顯著的物理應力,進而可能導致矽(Si)基板產生崩邊或裂紋。此類損傷,特別是發生於表面下方的缺陷,可能對元件效能與長期可靠度造成不利影響。透過紅外線(IR)檢測,可在非破壞條件下及早發現此類缺陷,使其成為現今 AOI 系統中不可或缺的檢測工具。