HBM 與前段 DRAM 在 Laser / X-ray 輻射損傷耐受度之差異 在進行 Laser 或 X-ray 檢查時,封裝完成的 HBM 較少出現明顯的電性異常;相對地,單顆或較直接暴露的先進 DRAM,則需要非常嚴格地控管能量與曝光條件。這是否代表 HBM 的 DRAM 本身「比較不怕」Laser 或 X-ray?
【半導體製程解決方案】如何解決回流焊氧化難題? EC913 微量氧分析儀的應用與優勢 在回流焊(Reflow Soldering) 工藝中,如何精確控制爐內氣體、防止氧化,已成為決定產品質量與生產成本的關鍵因素。