隨著摩爾定律（Moore's Law）面臨物理極限，半導體產業的重心已從單純的「電晶體縮微」轉向「封裝技術的創新」。封裝不再只是保護晶片，而是提升效能的關鍵戰場。封裝製程的演進 (Evolution of Packaging Processes)分為以下三階段：
第一階段：傳統封裝 (Traditional Packaging)
傳統封裝技術主要指將單一晶片固定於基板，透過打線(Wire Bonding)或引腳連接，再用塑膠外殼包覆保護。傳統封裝以打線封裝（Wire Bonding）與引腳封裝為主，主要功能是提供電力、散熱及實體保護。
早期： DIP (Dual in-line Package，雙列直插式封裝)、SOP (Small Outline Package, 小外型封裝)。DIP在其兩側有兩排平行的金屬接腳，稱為排針，可插入在DIP插座（socket）上。SOP是一種縮小形式的DIP， 後來逐漸衍生出SOJ（引脚型小外形封裝）、TSOP（薄型小外形封裝）、VSOP（非常小型外形封裝）、SSOP（精簡SOP）、TSSOP（薄型精簡SOP）、SOT（小型外形電晶體）、SOIC（小型外形集成電路）等。
中期： QFP 封裝(Quad Flat Package,四方扁平封裝)，開始使用引線框架 (Lead Frame)。QFP是一個表面安裝式包裝，將接腳製作在IC四周，在所有四個側面都有牙齒（L）形狀的銷釘。
後期： BGA (球柵陣列封裝)，它使用排列成網格圖案的微小錫球來取代引腳，大幅增加 I/O 數量，並將晶片以錫球方式直接與印刷電路板(PCB)連接。由於引腳（錫球）較短，寄生電感和電容較小，訊號傳輸性能更佳。將晶片直接連接到印刷電路板(PCB) 上，熱量可以有效地從晶片傳導至 PCB，有助於提高系統的穩定性。
第二階段：晶圓級與系統級封裝 (WLP/SiP)
由單顆晶片轉向多功能整合，如晶圓級封裝（WLP）與系統級封裝（SiP），縮小體積並提升訊號傳輸速度。晶圓級封裝（WLP）與系統級封裝（SiP）是現代半導體產業中，實現電子產品輕薄短小與高效能的兩大關鍵封裝技術。
晶圓級封裝 (WLP, Wafer level package)： 所謂「晶圓級封裝(Wafer level package)」是指先將整片矽晶圓完成封裝測試後，再進行切割的動作，有效縮小封裝體積。封裝後的體積和晶片本身差不多，是目前封裝體積最小的封裝方式。晶圓級封裝不需要打線 (wire bonding)及導線架(leadframe)，透過 RDL 技術將原本分佈在晶片四周的接點重新排列成矩陣型，整片晶圓透過凸塊(Bumping)與基板相連。由於省略了打線（Wire Bonding）或導線架(leadframe)，訊號傳輸路徑極短，有利於高頻運算並進一步縮小封裝尺寸。晶圓級封裝(WLP)因佈線方式的不同可區分為扇入型 (Fan-In WLP)及扇出型 (Fan-Out WLP)。扇入型 (Fan-In WLP)的佈線局限在晶片尺寸內，I/O 數量有限，適用於接腳數較少的晶片。扇出型 (Fan-Out WLP)是為了因應更多接腳，透過重新分配層（RDL）將佈線向外擴展至晶片範圍外，擴大佈線範圍，實現更多 I/O 腳數。
系統級封裝(System-in-Package, SiP)：是一種將多個功能不同的晶片（如處理器、記憶體、感測器等）與被動元件（如電阻、電容等）等異質元件整合在同一個封裝內的技術，使其能在單一封裝體中實現完整的系統功能，達到小型化、高性能、低功耗、高整合度和縮短開發時間。
第三階段：先進封裝 (Advanced Packaging)
先進封裝 (Advanced Packaging) 是半導體產業為突破「摩爾定律」物理極限、持續提升晶片效能的核心技術。相較於傳統封裝僅提供機械保護與基本導電，先進封裝著重於異質整合 (Heterogeneous Integration)，將不同製程、不同功能的晶片（如 CPU、GPU、記憶體）縮短間距進行整合，以達到低功耗、高頻寬與小體積的目標。目前主流技術有2.5D封裝與3D封裝。2.5D封裝如CoWoS 將系統單晶片（SoC）、記憶體等晶片設置於矽中介層（Si interposer）上，經由RDL及微凸塊（Microbumps）進行連結，讓各晶片間的電子訊號順利傳輸，並經矽中介層 (Si Interposer)及C4凸塊（C4 bump）連結至下方的基板。3D封裝採垂直堆疊晶片，垂直堆疊晶片經由微凸塊(Microbumps)或混合鍵合(Hybrid Bonding)進行晶片間的連接，並經由「矽穿孔」（TSV）及微凸塊（micro bump）連結至矽中介層（Si interposer）上。混合鍵合 (Hybrid Bonding)，其「無凸塊 (Bumpless)」設計能提供前所未有的互連密度。
