HPSP

HPSP(High Pressure Solution Provider)是韓國領先的設備供應商，其主要產品為垂直爐管中的高壓爐管專門為全球半導體行業提供高壓退火技術。 該公司以其世界首創的獨家 H2/D2 高壓退火技術而聞名，該技術在前段先進製程被廣泛使用。

除了尖端的退火技術外，該公司還擁有一個全球銷售和服務組織，在美國、歐洲和亞洲地區擁有強大的影響力，為整個半導體製造價值鏈的客戶提供全面的支持。

HPSP 致力於提供創新的解決方案，幫助客戶實現提高性能、效率和成本效益的目標。 憑藉其在半導體行業的先進技術和豐富經驗，HPSP 能夠幫助客戶在這個快速發展的市場中保持領先地位。

GENI-SYS

GENI系統 : GENI-Sys 系統是一種立式高壓全自動熱處理爐，能夠處理 200 毫米至 300 毫米的晶圓。 該系統符合當今半導體行業的工藝設備設計、製造、控制和清潔標準。

特點

硬體和軟體選項
GENI-Sys 系統有多種硬件和軟件可供選擇，包括：

  • 乾氣標準，蒸汽環境可選
  • 200 毫米或 300 毫米晶圓盒裝載而不是 FOUP
  • 晶圓處理（正面、背面）
  • 外部鍋爐（濕處理）
標準規範

SEMI-S2
ANSI Z535.4 and/or ISO 3864.2. 

應用
  • GENI-Sys 系統是一個強大的 25 ATM 加壓處理系統，可在遠低於 450°C 的溫度下提供卓越的退火效果，以解決熱預算限制問題。
  • 為CMOS器件改進提供解決方案，包括高k、金屬柵極和各種金屬矽化物。
  • 為各種設備的厚氧化物應用提供高溫 (500-1100°C) 最高生長速率，例如 MEMS、太陽能電池、光電、FPD 等。
  • GENI-Sys 設計用於高級熱處理，例如使用各種氣體和/或蒸汽的各種氧化層。 
  • 對於低溫和高溫工藝，溫度可在 150 至 1100 °C 範圍內進行編程和控制。 工藝壓力範圍為 1 至 25 個大氣壓。 晶片可以在乾燥氣體或蒸汽環境中加工。
規格

 

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