日本大塚科技股份有限公司不僅提供光電產業、半導體、平面液晶顯示器及材料的顆粒光學量測檢查設備,更希望透過優異的品質樹立業界的標準。 目前,除了各國光電產業技術領先的製造大廠皆已導入大塚的產品以外,更成立了台灣大塚科技,落實日本原廠與辛耘間之溝通體制,以服務廣大的客戶族群。 台灣大塚科技與辛耘集合各領域的專業人才,提供利用DLS粒徑分析儀原理開發的奈米粒徑分析儀,更精準、更廣泛的量測樣品,並規劃組織業務、客服、支援部門以提供顧客更趨完善的服務品質。
界達電位粒徑分析儀 ELSZneo
大塚電子物性分析最新機種,集結半世紀以來散射光研究經驗,利用DLS粒徑分析儀原理開發的ELSZNeo,全新進化升級。最穩定、最高精度、對應最多樣樣品的界達電位粒徑分析儀。
特點
- 稀溶液到濃溶液,奈米粒徑到固體表面電位評價
- 搭載全新的窄帶半導體雷射,提高感度
- 全新改良的固態表面電位量測,大大提高操作便利性
- 多角度粒徑量測提高粒徑分析解析度
- 另外新增微流變學黏彈性、粒子濃度、凝膠網絡等全新功能
- 多角度測量,進行粒度分佈,分離度更高
- 高鹽濃度下固體表面 Zeta 電位測量
- 使用靜態光散射的粒子濃度分析
- 使用動態光散射進行微流變學測量
- 通過多點測量樣品的散射光強度和擴散係數分析凝膠網絡和凝膠異質性
- 無需更換樣品即可用於兩種類型測量(粒徑和 zeta 電位)的標準流通池
- 0~90℃的寬測量溫度範圍
- 可對蛋白質進行變性(熔解溫度)分析的溫度梯度功能
- 用於精確 zeta 電位測量的電泳遷移率測量和繪圖分析
奈米粒徑分析儀暨界面電位分析儀 ELSZ-2000 Series
大塚科技利用DLS粒徑分析儀原理開發的ELSZ2000,除保有低濃度溶液量測功能,更強化了量測濃溶液中的Zeta電位和粒徑大小、粒徑分佈的能力。搭載自動溫度梯度測量功能,可分析變性、相變溫度 通過最新型的高感度APD提高感光度,成功縮短量測時間 。
特點
- 稀溶液到濃溶液,奈米粒徑到固體表面電位評價
- 搭載業界最高功率半導體雷射及高感度APD
- 寬闊的粒徑量測範圍,完全不透光樣品也可不稀釋直接量測。
- 實測電滲流,具備高可靠性的界達電位量測
- 高塩濃度下的界達電位量測,真實符合人體緩衝夜環境
- 獨家固體表面電位量測,可研究固態與液態溶液的交互作用
多檢體奈米粒徑量測系統 nanoSAQLA
大塚科技利用DLS粒徑分析儀原理開發的nanoSAQLA,低價格、不妥協的高性能。測量速度快(約 1 分鐘),重量輕且緊湊,這是實驗室使用必不可少的,而且這種新的光學系統能夠一次測量多個樣品,濃度範圍從稀釋到濃縮。此外,它是一種不浸入液體的新產品(非浸入型),因此污染不是問題,在不使用自動進樣器的情況下最多可以連續測量 5 個樣品。
特點
- nanoSAQLA是使用DLS動態光散射量測奈米粒徑的機台
- 針對品管需求等等追加多檢體量測功能。(最多5檢體,搭配自動進樣機可增至最多50檢體)
- 訴求簡單、輕量化、好操作、高精度,實現稀薄~高濃度溶液的廣範圍奈米粒徑量測
- 多檢體並非採用分注的方式,不須擔心前後樣品汙染問題
- 內建繁體中文介面等多國語言,親切好操作的軟體
高分子相結構分析系統PP1000
- 使用小角光散射技術,即時動態量測高分子的結構變化
- 管理結晶膜的強度、柔軟性、材料設計等
- 控制評估與管理聚合物共混物( Polymer Arrow)的耐熱性、耐衝擊性、和收縮性
- Hv散射:偏光子與檢光子垂直量測,可量測光學異方性及結晶
- Vv散射:偏光子與檢光子平行量測,可量測高分子相分離、配向特性等解析
- 主要使用可見光,與小角X線散射(SAXS)或小角中性子散射(SANS)相比,可以量測較大的構造(μm等級)
- 動態量測評估:聚合物的相分離、結晶、凝集、熱硬化過程;溫度變化時的相變;拉伸的結構變化*紫外線硬化過程* (* 另行諮詢)
- 散射角度0.33 ~ 45°,最短10msec量測
- 次微米 ~ 數百微米大小構造量測專用樣品容器、固態液態樣品皆可量測
- Hv散射、Vv散射在軟體上簡易切換
- 將偏光顯微鏡所看不到的短時間變化數值化