清洗製程介紹 (Wet Clean Process)

2023年01月19日

RCA Clean是一套基礎且通用的晶圓清洗步驟，Werner Kern 在 1965 年為美國無線電公司(RCA) 工作時開發的清洗步驟，主要是在半導體製造中的矽晶圓薄膜處理（氧化、擴散、CVD）之前執行。

◉清洗製程流程 　

• SC-1 (APM)：去除有機污染物（有機物+顆粒清潔）
• SC-2 (HPM)：去除離子污染（ionic clean）
• DHF：去除薄氧化層（氧化層）
• BOE (Buffered Oxide Etch)：緩衝氧化物刻蝕液 (HF / NH4F)
• SPM (Piranha)：高溫硫酸去光阻 (H2SO4 / H2O2 / H2O)

◉Standard Clean 1 (SC-1)：有機物與顆粒去除

氨水、雙氧水、純水的混和液，在 70°C~80 °C 下清洗。這種鹼-過氧化物混合物可以去除了有機物殘留，顆粒也被有效地去除，甚至是不溶性顆粒，因為 SC-1 改變了表面和顆粒的電位並使它們相互排斥。

◉Standard Clean 2 (SC-2)：離子汙染物去除

鹽酸、雙氧水、純水的混和液，在 120°C~140 °C下清洗。這種處理有效地去除了金屬（離子）污染物的殘留，並在晶圓表面留下一層薄鈍化層，保護表面免受後續污染。

◉DHF：氧化層去除

使用HF與水以1:50~1:100 比例稀釋成DHF溶液，在 25 °C下清洗，以去除薄氧化層和一些離子污染物。