辛耘知識分享家

半導體 光阻剝離 PR Strip 製程介紹

2023年04月10日

1948年，美國貝爾實驗室的三位科學家蕭克立（W.Schokley）、巴定（J.Bardeen）和布萊坦（W.H. Brattain）發明了雙極性電晶體（Bipolar transistor）。到了1970年代，積體電路的製造技術漸漸成熟，擁有100個、1,000個甚至10,000個電晶體的積體電路便循序發展成功。為了將越多的電晶體放入更小的IC內，微影製程就顯得格外重要。

光阻(Photoresist)是一種光敏感材料，由樹脂、光敏感劑、溶劑和添加劑等組成，根據曝光顯影後的變化，分為正型(Positive type)光阻和負型(Negative type)光阻。
正型(Positive type)光阻 : 經過曝光後，受到光照的部分將在顯影時溶解，顯影後留下的是未受到曝光部分的圖案。應用於對圖案精細度要求較高的 IC產品。
負型(Negative type)光阻 : 經過曝光後，顯影時則是沒受到光照的部分溶解，顯影後留下光照部分所形成的圖案。應用於工藝成本較低產品。

◉依曝光的光源不同光源可區分為

紫外線(UV) : 使用g-line(436nm)和i-line(365nm)光阻劑
深紫外線(Deep UV；DUV) : 使用KrF(248nm)與ArF(193nm)光阻劑
超紫外線(Extreme UV；EUV) : 目前最新技術之光阻劑

◉光阻剝離 PR Strip

光阻材料是有機物一般以碳、氫、氧化合物為主體，一般都用硫酸根或氫氧根離子破壞碳氫氧鍵，達到光阻去除的目的，傳統光阻剝離劑多是採用DMSO (二甲基亞碸) 、BDG (二乙二醇單丁醚) 、MEA (單乙醇胺) 、NMP (氮-甲基四氫吡咯酮)成分混和而成。

光阻剝離的過程一般分為膨潤跟溶解兩步，會先膨潤先打斷光阻的碳氫氧鍵，讓長鏈高分子變成小分子的有機物，再用界面活性劑包覆、溶解至溶劑中，而達到洗淨的效果。

如有任何問題 歡迎來信

或是上Line官網隨時聯繫

聯絡我們：info@scientech.com.tw

謝謝! 祝您順利！