半導體 Metal lift off 製程介紹
半導體 Metal lift off 製程介紹
2023年05月電子報
半導體製程中的金屬脫離 (Metal lift off) 是一種用於製造金屬薄膜的技術,其原理是利用化學反應和蝕刻作用使金屬薄膜從基板上脫離。
具體來說,金屬脫離的製程包括以下步驟:
- 在基板表面上沉積一層金屬薄膜,形成所需的圖案。
- 在金屬薄膜表面上覆蓋一層光阻,並使用光學曝光和昇華技術,將光阻蝕刻出所需的圖案。
- 以金屬薄膜未被蝕刻的區域為模板,使用化學蝕刻劑,將未被蝕刻的金屬部分溶解掉,從而實現金屬脫離。
- 最後,使用清洗劑去除光阻和化學蝕刻殘留物,完成金屬脫離的製程。
金屬脫離的原理主要是基於化學蝕刻的原理,即在蝕刻液中,金屬與蝕刻液之間的化學反應會產生可溶性的金屬化合物或離子,進而導致金屬薄膜的溶解。而由於蝕刻液的溶解速度與光阻的蝕刻速度不同,所以在光阻被蝕刻後,未被光阻覆蓋的金屬部分可以被化學蝕刻劑溶解,實現金屬脫離的製程。
在這個過程中,金屬薄膜在化學溶液的侵蝕下,被剝離下來,而光阻則被保留下來。由於Metal lift off技術可以製造出非常微細的結構,因此在微電子學、光學和生物醫學等領域都有廣泛的應用。
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