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  封裝測試 - Plasma-Therm - 電漿輔助化學氣相沉積 PECVD / 高密度電漿化學氣相沉積 (HDPCVD)



電漿輔助化學氣相沉積 PECVD / 高密度電漿化學氣相沉積 (HDPCVD)
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電漿沉積通常在薄膜沉積的溫度敏感性是一個重要問題。在半導體加工中,這 個問題通常是由於正在製造的複雜設備的材料屬性導致的。
兩種最常見的沉積薄膜是氧化矽和氮化矽,不過其他的薄膜如碳化矽和非晶質 矽也是有可能產生的。反應氣體的選擇決定了薄膜的性狀。對於氧化矽而言, 可以使用二氯矽烷或矽烷氣體結合適當的氧化劑如氮氧化物。氮化矽通常用矽 烷和氨氣或氮氣沉積。氣體、壓力和等離子功率的選擇決定了薄膜的屬性。
反應室的配置可以非常簡單,平行板配上RF功率的電容耦合,或者可能涉及到 類似於電感耦合等離子體的配置。在這兩種情況下,氣體輸送系統都對薄膜均 勻性起到重要的作用。
特點:
icon Versaline 系列
(半自動 / 全自動 電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD) and 高密度電漿化學氣相沉積 (HDPCVD))
-電漿輔助化學氣相沉積 (Plasma Enhanced CVD) with Load Lock or Cassette.
-高密度電漿化學氣相沉積 HDPCVD (High Density Plasma CVD) with Load Lock or Cassette.
icon Vision 系列:
-手動式 電漿輔助化學氣相沉積PECVD.
標準規範:
icon ISO 9001
應用:
icon Plasma-Therm的產品和技術適用於廣泛的市場,包括: MEMS/NEMS,固態照明,無線通訊 ,光罩領域,納米技術,再生能源,資料存儲,光電用途,R&D以及中段-後段封裝技術。 主要應用材料為沉積薄膜氧化矽和氮化矽。
規格:
 
 
 
 
 
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