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  封裝測試 - Plasma-Therm - 反應式離子蝕刻 RIE / 感應耦合電漿離子蝕刻機ICP / 深反應式離子蝕刻機 DSE (手動/半自動/全自動)



反應式離子蝕刻 RIE / 感應耦合電漿離子蝕刻機ICP / 深反應式離子蝕刻機 DSE (手動/半自動/全自動)
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等離子蝕刻或乾式蝕刻是基於等離子體的流程,有助於從基質表面去除某種材料。通常情況下,半導體材料的等離子加工,是在真空環境下完成的。乾式蝕刻的關鍵是在等離子體內部創造活性物質,可以與基板上的材料,形成易變的反應副產品。乾式蝕刻流程往往分為四大機制,有效的蝕刻系統設計必須理解這四大機制。
icon 形成活性氣體種類
icon 活性氣體輸送到表面
icon 表面發生反應
icon 抽真空排送反應產物
特點:
icon Versaline 系列(半自動 / 全自動 RIE 和 ICP機型)
-反應式離子蝕刻機 RIE with Load Lock.
-感應耦合電漿離子蝕刻機 ICP with Load Lock or Cassette.
-深反應式離子蝕刻機 DSE with Load Lock or Cassette.
icon Vision 系列:
-手動式反應式離子蝕刻機 RIE.
標準規範:
icon ISO 9001
應用:
icon Plasma-Therm的產品和技術適用於廣泛的市場,包括:MEMS/NEMS, 固態照明,無線通訊,光罩領域,納米技術,再生能源,資料存儲,光電用途, R&D以及中段-後段封裝技術。
規格:
 
 
 
 
 
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