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  半導體III-V 族 - KLA - Nano Indenter G200 奈米壓痕儀



Nano Indenter G200 奈米壓痕儀
特點:
icon – 廣受讚譽的高速測試選項可以和所有G200 型奈米壓痕儀配合使用, 包括DCMII 和 XP 模組以及樣品台
– 快速進行面積函數和框架剛度校對
– 精確和可重複的結果, 完全符合ISO14577 標準
– 通過電磁驅動, 可在無與倫比的範圍內連續調整載入力和位移
– 結構優化, 適合傳統測試或全新應用
– 模組化選項, 適合劃痕測試, 高溫測試
– 和動態測試
– 強大的軟體功能, 包括對試驗進行即時控制, 簡化了的特殊測試方法的開發
標準規範:
icon ISO14577
應用:
icon NanoIndenter®G200系統是一種準確,靈活,對用戶友好的奈米級機械測試儀器。 G200測量楊氏模量和硬度,包括從奈米到毫米的六個數量級的變形測量。 該系統還可以測量聚合物,凝膠和生物組織的複數模量以及薄金屬膜的蠕變響應(應變率靈敏度)。 模組化選項可適用於各種應用:頻率特定測試,定量劃痕和磨損測試,探針的成像,高溫奈米壓痕測試,擴展負載容量高達10N和自定義測試協議。
– 半導體器件, 薄膜
– 硬質塗層, DLC薄膜
– 複合材料, 光纖, 聚合物材料
– 金屬材料, 陶瓷材料
– 無鉛焊料
– 生物材料, 生物及仿生組織等等
規格:
icon 位移測量方式: 電容位移感測器
壓頭總的位移範圍: ≥ 1.5 mm
最大壓痕深度: > 500 um
位移解析度: 0.01 nm
載入模式: 電磁力
最大載荷 (標配): > 500 mN
載荷解析度: 50 nN
高載荷選件: 10 N/50 nN
DCM 壓痕選件: 10 mN/1 nN
框架剛度: ≥ 5 x 106 N/m
有效使用面積: 100 mm X 100 mm
定位精度: 1 um
定位控制模式: 全自動遙控
總的放大倍率: 250 倍和 1000 倍
物鏡鏡頭: 10 X 和 40 X

 
 
 
 
 
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